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原材料国产自主供应：光刻胶本土替代关键环节

发布时间:

2022-01-10

光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成有效图形窗口或者功能图形的工艺技术，是光电信息产业链中的核心环节之一。在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻胶是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量。光刻胶是微电子领域微细图形加工核心上游材料，也是精细化工技术壁垒最高的材料。光刻胶所在的产业链覆盖范围非常广泛，从上游基础化工材料行业、精细化学品行业到中游光刻胶制备，到下游PCB、面板、半导体产业，再到电子等应用终端。当前，全球光刻胶供给高度集中，海外龙头已实现高端制程量产，而我国光刻胶起步较晚，目前以中低端产品为主，高端领域正在逐步突破过程中，国产替代正在持续进行。我国半导体光刻胶的上游核心原材料仍被国外厂商垄断，国产化率很低，增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险，因此原材料国产自主供应是光刻胶本土替代的关键环节。

光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成有效图形窗口或者功能图形的工艺技术，是光电信息产业链中的核心环节之一。在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸。

光刻胶是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量。光刻胶是微电子领域微细图形加工核心上游材料，也是精细化工技术壁垒最高的材料。光刻胶所在的产业链覆盖范围非常广泛，从上游基础化工材料行业、精细化学品行业到中游光刻胶制备，到下游PCB、面板、半导体产业，再到电子等应用终端。

当前，全球光刻胶供给高度集中，海外龙头已实现高端制程量产，而我国光刻胶起步较晚，目前以中低端产品为主，高端领域正在逐步突破过程中，国产替代正在持续进行。

我国半导体光刻胶的上游核心原材料仍被国外厂商垄断，国产化率很低，增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险，因此原材料国产自主供应是光刻胶本土替代的关键环节。